世界当代科技史-第4章
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加速器长期没什么发展。直到第二次世界大战以后，由于微波技术的发展和
稳相原理的提出，直线型加速器才东山再起。1948年，在美国加州大学建成
第一台质子直线加速器，能量达32兆电子伏。1966年，美国斯坦福大学建
成3050米长的电子直线加速器，能量达24京电子伏。
另一种类型的加速器是回旋加速器。粒子在环形轨道上运动。第一个回
旋加速器也是在1932年由美国物理学家劳伦斯 （1901—1958）设计制造的。
1944—1945年，原苏联物理学家维克斯列尔（1907—1966）和美国物理学家
麦克米伦 （1907—）分别独立发现了自动稳相原理，设计建造了稳相加速器
（即同步回旋加速器）。此外，有人还发展了等时性回旋加速器。1952年，
美国建成第一台质子同步加速器。用它所加速的质子，打出了Ｋ、Λ、Σ等
奇异粒子。 1959年，在日内瓦建成的强聚焦质子同步加速器，能量达28京
电子伏。1973年，用它发现了中性弱流，为弱—电统一理论提供了支持。1960
年，布鲁海文实验室建成了33京电子伏的强聚焦质子同步加速器。利用它在
1962年发现了中微子V，1974年发现了Ｊ粒子。70年代，在美国和日内瓦
μ
建成了两座世界上最大的质子同步加速器，最高能量分别达500京电子伏和
400京电子伏。
高能实验装置在60年代以后的一个重要进展是建造对撞机。在这之前的
加速器只产生一束高能粒子。随着加速器能量的提高，这种加速器存在很大
的能量损失。为提高有效作用能量，人们提出建造对撞机。对撞机原理是美
国物理学家开尔斯特（1911—）和奥尼耳（1927—）于1956年提出的。根据
动量和能量守恒定律，粒子碰撞的有效能量（即能引起粒子反应的能量）只
取决于粒子的相对速度。对撞的效果对于更高能量和更轻的粒子 （如电子）
更为显著。目前世界上已建造了几十台对撞机。1981年，在日内瓦欧洲核研
究中心建成的质子—质子对撞机，能量达2×270京电子伏。1983年，在这
＋ ？
台对撞机上发现的玻色子Ｗ、Ｗ 和Ｚ°，成为验证弱—电统一理论预言的
证据。
中国于1988年10月16日建成了第一台高能加速器北京正负电子对撞
机，首次对撞成功。1988年12月12日，中国最大的重离子加速器在兰州建
成。 1989年，在合肥又建成同步辐射加速器。这三项工程的完成，标志中
我国的加速器技术已接近国际先进水平。
目前，欧洲核研究中心正在建造一台大型质子—质子对撞机，能量为16
太电子伏。人们期望能用它产生顶夸克、发现黑格斯粒子等新粒子和新现象。
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半个多世纪以来，加速器的发展异常迅速，粒子的能量提高了6个数量
6 12
级 （由10电子伏到10电子伏），成为当代大科学的重要标志之一。粒子
加速器为原子核物理和基本粒子物理提供新的实验结果、新的证据和新的课
题。基本粒子物理学每一个新理论的提出，都对加速器提出新的更高要求，
也提出新的加速原理，推动着加速器的发展。在当代科学中，理论与实验以
及技术的相互依存、相互促进的密切关系，由此可见一斑。
到目前为止，基本粒子物理学还处于积累实验事实，提出假说和创立理
论的阶段，有许多未解之谜等待探索。但是，基本粒子物理学已对原子核物
理学、天体物理学、凝聚态物理学产生了重要促进作用。粒子加速器产生的
粒子束已被用于治疗癌症。粒子加速器在工业辐照和工业探伤等方面的应用
已有30多年。高能直线加速器大功率束调管技术的发展，促进了大功率发射
管技术的进步，推动了广播通讯事业的发展。由同步辐射加速器发展起来的
同步辐射光源，现已进入到第三代，在许多领域，特别是在大规模集成电路
光刻和超微细结构的加工方面获得了广泛的应用。
2。凝聚态物理学的进展
当代物理学把固态物质和液态物质统称为凝聚态物质。固体物理学作为
物理学的一分支学科，形成于20年代末。30年代，它以量子力学为基础蓬
勃发展起来。第一本全面论述固体物理的书是1941年塞兹写的《近代固体理
论》。它是固体物理奠基性的专著，对这一学科发展影响深远。凝聚态物理
学是40—50年代由固体物理学发展而来的。它一方面扩大了研究对象，从晶
体扩展到非晶体，还包括许多液体。另一方面，它在理论处理中更多地考虑
了粒子之间的相互作用。凝聚态物理学是当代物理学中最庞大的一个部分，
有许多分支学科，其中以半导体物理、超导体物理和非晶态物理发展最快，
影响也最大。
（1）固体物理学
1928年，美籍瑞士人布洛赫（1905—）利用量子力学的薛定谔方程求解
电子在周期势场中的运动，建立了固体的能带理论。该理论认为：晶体中原
子能级与孤立原子的能级不同；它由很多个彼此相隔很近的子能级构成，通
常称为能带。能带理论为固体提供了一个普遍适用的微观结构模型。1933
年，英国物理学家威尔逊 （1874—1964）利用能带理论解释了金属、绝缘体
和半导体之间的区别。
第二次世界大战以后，由于理论研究的深入和材料制备工艺技术的进
步，固体物理学发展到了一个新阶段，不断取得新的成果并扩展和分化出新
学科。首先，在理论方面，人们已开始探索凝聚物质中粒子的相互作用，在
1947—1958年间拓展到凝聚物质的多粒子问题；凝聚态物理学也逐步形成。
其次，实验技术取得长足进展。电子顺磁共振、核磁共振等波谱学技术被广
泛应用，使许多实验室都能制备液态氢。晶体生长方法的改进，可以使人获
得极纯或没有缺陷的各种材料的单晶，为半导体及其他材料的发展提供了技
术基础。超低温、超高压、超强磁场等极端条件的技术也迅速进步。1965年，
荷兰科学家首先制造出稀释致冷机。80年代初，芬兰的劳纳兹玛 （1930—）
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等人制成一台恒温器，其中铜核自旋已被冷却到5×10K。1989年，殷实等
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人在芬兰用级联核绝势去磁法得到了2×10K的最低温度。超低温技术的发
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展使人们认识到许多新的物理现象，超导体物理就是在此基础上发展起来
的。1953年，美国通用电器公司设计了一种“BELT”型的高压装置，可产生
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约6万公斤／厘米 的压力。利用它在1955年首次合成了金刚石。
运用这些先进的实验手段，科学家们获得许多意外发现。近年来发现的
C 就是其中之一。1985年，英国的克罗多等在研究激光辐照石墨产生的碎
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片中用质谱发现，存在另外一种碳形态——笼状碳簇合物，其粒子数为60。
他们提出了C的足球模型。足球表面由20个正6边形和12个正5边形组
60
成。如果在每个顶点都放一个碳原子，正好是60个。这样一种特殊结构，具
有高度稳定性。人们用擅长设计网笼结构的著名建筑师Buck…minsterFuller
的名字，将这种笼状碳簇合物命名为BuckmisterFullerene，中文称为巴基
球或富勒球。1990年，德国的克拉茨莫研究组用石墨电极在氦气中电弧放
电，制备了较多数量的笼状碳簇合物，为C 的研究开创了新路。不久人们
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发现碱金属掺杂C 固体具有超导性，其超导转变温度达30K左右。目前有
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关C的物理、化学等方面的研究已成为科学界关注的焦点。
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1958年，安德逊发表了一篇“扩散在一定的无规点阵中消失”的论文。
这项研究无序体系电子态的开创性工作，为非晶态材料的电子理论奠定了基
础。1960年，美国的杜威兹等人用喷枪法获得非晶态Au—Si合金。这是制
备非晶态金属的重要突破，并且开拓了非晶态金属的研究领域。1973年，美
国联合化学公司生产的非晶态金属玻璃薄膜已经实现商品化。日本现在已大
批量生产用非晶软磁合金制作的各类磁头。
1967—1969年，在安德逊局域化理论的基础上，莫特等人建立了非晶态
半导体的能带模型。它认为非晶态半导体中的势场是无规变化的，但其无规
起伏没有达到安德逊局域化的临界值，因此电子态是部分局域化的。这个模
型虽尚未被普遍接受，但实际已成为非晶态半导体电子理论的基础。1975
年，斯皮尔在硅烷辉光放电中引入硼烷和磷烷，制备出了P型和n型非晶硅。
1976年，美国的卡尔逊制造出世界上第一个非晶硅太阳能电池。这些成果使
非晶半导体材料的应用展现出美好前景，引起各国科学家重视。90年代初，
4叠层非晶硅氢太阳能电池的能量转换效率已达15％，并接近工业生产阶
段。
1976年，莫特和戴维斯合著了《非晶固体中的电子过程》，对非晶态物
理的理论作了进一步探讨。安德逊和莫特在非晶态物理方面的贡献，使他们
荣获1977年诺贝尔物理学奖。
目前，非晶态物理的研究尚处于发展初期。随着理论的不断突破，它的
应用范围将更广阔。
（2）半导体物理
布洛赫的能带理论为半导体物理的形成奠定了理论基础。29此后，威尔
逊在用能带理论解释金属、绝缘体、半导体的区别的基础上，又提出了杂质
能级的概念，对半导体导电机理有了新的认识。1939年，原苏联的达维多夫、
英国的莫特、德国的肖特基各自独立提出了有关半导体整流作用的理论。
在理论探索的同时，从20—30年代开始，有人试图制造晶体管，但未能
获得成功。
晶体管的发明是固体物理学发展的产物。而通过制订严密规划并组织科
学家攻关，则促进了这一成果的取得。从30年代起，贝尔实验室研究部下属
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真空管分部主任凯利 （1894—）一直考虑用某种新的器件取代真空管，因为
真空管有许多缺点，不能满足电子技术日益发展的要求。凯利认为，应制订
一个研究规划，深入地探索半导体，而先不考虑实用。1939年，凯利集中了
一批优秀的青年科学家，给他们提供良好的条件和充分的研究自由。1945
年，贝尔实验室成立了固体物理研究组。理论物理学家肖克利 （1910—）任
组长，成员有巴丁 （1908—）和布拉顿 （1902—）等人。他们拟订了周密的
研究和实验方案，进行了艰苦的探索。肖克利提出了“场效应”的预言。巴
丁提出了半导体表面态和表面能级的概念。这些都对半导体理论的发展做出
了贡献。随着每一个新观点的提出，他们不断修正实验方案。1947年12月
23日，他们终于成功了。巴丁和布拉顿在一块锗晶片表面安放了两根非常细
的钨金属针。一根固定，另一根是加有负电压的可精密移动的探针。锗片背
面焊有一根粗一点的金属丝。当探针移动到距离固定针0。05毫米处时，流过
探针的电流发生微小起伏，竟引起固定针与锗片背面粗金属丝之间电流的大
幅度变化。他们终于制成了世界上第一只点接触晶体管。肖克利等三人获
1956年诺贝尔物理奖。1949年，肖克利小组又提出了Pn结的整流理论。1951
年，他们又制造出nPn型和PnP型晶体管。1954年，美国得克萨斯仪器公司
研制的第一只硅晶体管上市。1960年，霍恩尼公司和法尔奇德公司相继发明
出平面晶体管，使半导体器件发展到一个新阶段，并为集成电路的产生和发
展开辟了道路。
晶体管的出现，促进了半导体物理的发展。1958年，日本的江崎玲於奈
（1925—）发现半导体中的隧道效应现象，并制造了隧道二极管。近年来发
现的“电子—空穴液滴”现象引起人们的兴趣。1978年，科学家获得了电子
—空穴液滴的照片，取得了研究的进展。物理学家希望对此研究会完全弄清
纯半导体内的各种元激发间的相互作用，并开辟更广阔的应用前景。
（3）超导物理学
早在1911年，荷兰的昂纳斯 （1853—1926）首次发现了在4。2K时水银
电阻突然消失的超导电现象。1933年，迈斯纳（1891—1959）发现超导体内
部的磁场是保持不变的，而且实际上为零。这种完全抗磁性是超导体的另一
个基本特性，被称为迈斯纳效应。1935年，伦敦兄弟（F。London，1900—1954；
H。Lon…don，1907—1970）提出了描述超导体的宏观电动力学方程——伦敦方
程。
第二次世界大战以后，超导物理研究发展很快。1950年，弗留里希（1905
—）提出电子和晶格振动之间的相互作用导致电子间的相互吸引是引起超导
电性的原因。同年，麦克斯弗和雷诺等人同时独立发现，超导的各种同位素
－α
的超导转变温度T。与同位素原子质量M之间存在如下关系：T∝M ；对于
c
1
一般元素，α～ 。这叫同位素效应。1957年，巴丁、库柏
2
（1930—）和施里弗 （1931—）共同提出了超导电性的微观理论：当成对的
电子有相同的总动量时，超导体处于最低能态；电子对的相同动量是由电子
之间的集体相互作用引起的，它在一定条件下导致超流动性；电子对的集体
行为意味着宏观量子态的存在。这就是著名的BCS理论。它成功地解释了超
导现象，标志着超导理论的形成，对后来的超导研究产生了极大的影响。1972
年，巴丁三人共同荣获诺贝尔物理奖。1962年，英国年仅22岁的研究生约
瑟夫森（1940—）根据BCS理论计算出，由于量子隧道的作用，可以有一直
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流电流通过两个超导金属中间的薄绝缘势垒。这就是直流的约瑟夫森效应。
他还提出了交流的约瑟夫森效应。他的预言被以后的实验证实。人们利用约
瑟夫森效应制成了极其灵敏的探测器。1973年，约瑟夫森获诺贝尔物理奖。
自超导电性发
