手机知识大全-第34章

按键盘上方向键 ← 或 → 可快速上下翻页，按键盘上的 Enter 键可回到本书目录页，按键盘上方向键 ↑ 可回到本页顶部！
————未阅读完？加入书签已便下次继续阅读！


SIS压缩率强，现在主要是MOTO手机后期基本全系列支持，所以很多MOTO手机可以下联通的动画，因为CMX文件太大，因此联通动画目前还只是支持SIS的　
rmf是Beatnik公司的自有格式。　
　　
　　
　　
　　
　　


　　
　　
　　

　　
手机的和弦　　
　　
手机的和弦数目等于midi格式中的音轨数，但是手机的每个音轨都是单音音轨，这是与我们在电脑上常常听的midi的最大的区别，也是和弦数目对铃声效果影响的由来。　

　　　　和弦是按照一定的音程关系结合起来的三个或三个以上同时或先后发音，叫做“和弦”。传统和声以三度叠作为和弦构成的原则。通常是同时发音。当你在钢琴上同时按1，3，5时所发的音，是一个以1为根音的大三和弦。和弦的好处是声音丰满动听，富有表现力。大三和弦听起来十分响亮，而小三和弦则委婉动听。　　

　　　　所谓电子音乐midi格式是记录每个音的音色、音名、响度、角度、时间等，根据记录查询音色库，得到应发声音。简单的说，每个音轨对应一种乐器，上面以特定的格式记录每时刻该乐器所演奏的乐音。比如，在某时刻被定义为钢琴的音轨上记录着上面所说的135组成的和弦，那么芯片就查询音色库得到所对应的音效，然后合成、播放。所以音色库是关系midi是否动听的关键因素，好的音色库是很占地方的。　
　
　
　　
　作者：　没了手机照样活　　2006…1…23　15：01　　　回复此发言　　　　
　

　
4　手机知识　　
　

04。FPM　DRAM（Fast　Page　Mode　DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）　

　改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。而FRM　DRAM在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。FPM将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512B到数KB不等，在读取一连续区域内的数据时，就可以通过快速页切换模式来直接读取各page内的资料，从而大大提高读取速度。在96年以前，在486时代和PENTIUM时代的初期，FPM　DRAM被大量使用。　

　　

05。EDO　DRAM（Extended　Data　Out　DRAM，延伸数据输出动态随机存取存储器）　

　　这是继FPM之后出现的一种存储器，一般为72Pin、168Pin的模块。它不需要像FPM　DRAM那样在存取每一BIT　数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间，然后才能读写有效的数据，而下一个BIT的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。因此它可以大大缩短等待输出地址的时间，其存取速度一般比FPM模式快15％左右。它一般应用于中档以下的Pentium主板标准内存，后期的486系统开始支持EDO　DRAM，到96年后期，EDO　DRAM开始执行。。　

06。BEDO　DRAM（Burst　Extended　Data　Out　DRAM，爆发式延伸数据输出动态随机存取存储器）　

　　这是改良型的EDO　DRAM，是由美光公司提出的，它在芯片上增加了一个地址计数器来追踪下一个地址。它是突发式的读取方式，也就是当一个数据地址被送出后，剩下的三个数据每一个都只需要一个周期就能读取，因此一次可以存取多组数据，速度比EDO　DRAM快。但支持BEDO　DRAM内存的主板可谓少之又少，只有极少几款提供支持（如VIA　APOLLO　VP2），因此很快就被DRAM取代了。　

07。MDRAM（Multi…Bank　DRAM，多插槽动态随机存取存储器）　

　　MoSys公司提出的一种内存规格，其内部分成数个类别不同的小储存库　（BANK），也即由数个属立的小单位矩阵所构成，每个储存库之间以高于外部的资料速度相互连接，一般应用于高速显示卡或加速卡中，也有少数主机板用于L2高速缓存中。　

08。WRAM（Window　RAM，窗口随机存取存储器）　

　韩国Samsung公司开发的内存模式，是VRAM内存的改良版，不同之处是它的控制线路有一、二十组的输入/输出控制器，并采用EDO的资料存取模式；因此速度相对较快，另外还提供了区块搬移功能（BitBlt），可应用于专业绘图工作上。　

　　　Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s，是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。　

10。SDRAM（Synchronous　DRAM，同步动态随机存取存储器）　

　　这是一种与CPU实现外频Clock同步的内存模式，一般都采用168Pin的内存模组，工作电压为3。3V。　所谓clock同步是指内存能够与CPU同步存取资料，这样可以取消等待周期，减少数据传输的延迟，因此可提升计算机的性能和效率。　

11。SGRAM（Synchronous　Graphics　RAM，同步绘图随机存取存储器）　

　　SDRAM的改良版，它以区块Block，即每32bit为基本存取单位，个别地取回或修改存取的资料，减少内存整体读写的次数，另外还针对绘图需要而增加了绘图控制器，并提供区块搬移功能（BitBlt），效率明显高于SDRAM。　

12。SB　SRAM（Synchronous　Burst　SRAM，同步爆发式静态随机存取存储器）　

　　一般的SRAM是非同步的，为了适应CPU越来越快的速度，需要使它的工作时脉变得与系统同步，这就是SB　SRAM产生的原因。　

13。PB　SRAM（Pipeline　Burst　SRAM，管线爆发式静态随机存取存储器）　

　　CPU外频速度的迅猛提升对与其相搭配的内存提出了更高的要求，管线爆发式SRAM取代同步爆发式SRAM成为必然的选择，因为它可以有效地延长存取时脉，从而有效提高访问速度。　
　
　
　　
　作者：　没了手机照样活　　2006…1…23　15：01　　　回复此发言　　　　
　

　
5　手机知识　　
　
14。DDR　SDRAM（Double　Data　Rate二倍速率同步动态随机存取存储器）　

　　作为SDRAM的换代产品，它具有两大特点：其一，速度比SDRAM有一倍的提高；其二，采用了DLL（Delay　Locked　Loop：延时锁定回路）提供一个数据滤波信号。这是目前内存市场上的主流模式。　


15。SLDRAM　（Synchronize　Link，同步链环动态随机存取存储器）　

　　这是一种扩展型SDRAM结构内存，在增加了更先进同步电路的同时，还改进了逻辑控制电路，不过由于技术显示，投入实用的难度不小。　

16。CDRAM（CACHED　DRAM，同步缓存动态随机存取存储器）　

　　这是三菱电气公司首先研制的专利技术，它是在DRAM芯片的外部插针和内部DRAM之间插入一个SRAM作为二级CACHE使用。当前，几乎所有的CPU都装有一级CACHE来提高效率，随着CPU时钟频率的成倍提高，CACHE不被选中对系统性能产生的影响将会越来越大，而CACHE　DRAM所提供的二级CACHE正好用以补充CPU一级CACHE之不足，因此能极大地提高CPU效率。　


17。DDRII　（Double　Data　Rate　Synchronous　DRAM，第二代同步双倍速率动态随机存取存储器）　

　　DDRII　是DDR原有的SLDRAM联盟于1999年解散后将既有的研发成果与DDR整合之后的未来新标准。DDRII的详细规格目前尚未确定。　

18。DRDRAM　（Direct　Rambus　DRAM）　


　是下一代的主流内存标准之一，由Rambus　公司所设计发展出来，是将所有的接脚都连结到一个共同的Bus，这样不但可以减少控制器的体积，已可以增加资料传送的效率。　

二、ROM（READ　Only　Memory，只读存储器）　

　　ROM是线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，在元件正常工作的情况下，其中的代码与数据将永久保存，并且不能够进行修改。一般应用于PC系统的程序码、主机板上的　BIOS　（基本输入/输出系统Basic　Input/Output　System）等。它的读取速度比RAM慢很多。　

　　根据组成元件的不同，ROM内存又分为以下五种：　


1。MASK　ROM（掩模型只读存储器）　

　　制造商为了大量生产ROM内存，需要先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM作为样本，然后再大量复制，这一样本就是MASK　ROM，而烧录在MASK　ROM中的资料永远无法做修改。它的成本比较低。　

2。PROM（Programmable　ROM，可编程只读存储器）　

　　这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”（One　Time　Progarmming　ROM，OTP…ROM）。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0（部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1），　以实现对其“编程”的目的。　

　　

3。EPROM（Erasable　Programmable，可擦可编程只读存储器）　

　　这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，　以防止遭到阳光直射。　


4。EEPROM（Electrically　Erasable　Programmable，电可擦可编程只读存储器）　

　　功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，它是以约20V的电压来进行清除的。另外它还可以用电信号进行数据写入。这类ROM内存多应用于即插即用（PnP）接口中。　

5。Flash　Memory（快闪存储器）　

　　这是一种可以直接在主机板上修改内容而不需要将IC拔下的内存，当电源关掉后储存在里面的资料并不会流失掉，在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，缺点为写入资料的速度太慢。　
　
「全文完」